An innovation for prevention latchup,pseudo-latchup path method,has been put forward that is based on latchup effects of bulk-Si CMOS devices.
硅CMOS器件
闭锁效应入手,提出了抑制闭锁一种新方法—伪闭锁路径法。
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X
CMOS
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n. 
补金属氧化物半导
补金属氧化物半导95 Abstract With the rapid development of the IC manufacture, the critical dimension(CD) of the manufacturable CMOS technology has been put into 90nm, even 65nm and below from 130nm.
摘 要 随着IC制造技术快速发展，可量产CMOS技术，其特征线宽也由0.13um 进入了90nm甚至65nm及以下。
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